| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|2英寸氮化铝单晶应力模拟、热键合及生长研究

2英寸氮化铝单晶应力模拟、热键合及生长研究

高飞 辛倩 王英民 程红娟 王增华

人工晶体学报2026,Vol.55Issue(6):P.878-885,8.
✕
人工晶体学报2026,Vol.55Issue(6):P.878-885,8.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2026.0031

2英寸氮化铝单晶应力模拟、热键合及生长研究

高飞 1辛倩 2王英民 3程红娟 4王增华4

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 山东大学集成电路学院,济南250100 新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220
  • 2. 山东大学集成电路学院,济南250100
  • 3. 山西烁科晶体有限公司,太原030062
  • 4. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220
  • 折叠

摘要

关键词

氮化铝单晶/应力抑制/有限元分析/热膨胀系数/物理气相传输/热键合

分类

数理科学

引用本文复制引用

高飞,辛倩,王英民,程红娟,王增华..2英寸氮化铝单晶应力模拟、热键合及生长研究[J].人工晶体学报,2026,55(6):P.878-885,8.

人工晶体学报

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文