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构建肖特基势垒并增强C@ZnO/Sn@GaN界面极化效应以实现高性能电磁波吸收

吴广荣 朱佳慧 郭小萌 张昌淼 何梦婷 邱华 马冬威

物理化学学报2026，Vol.42Issue(8)：P.178-196,19.
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物理化学学报2026，Vol.42Issue(8)：P.178-196,19.DOI:10.1016/j.actphy.2026.100324

构建肖特基势垒并增强C@ZnO/Sn@GaN界面极化效应以实现高性能电磁波吸收

吴广荣 1朱佳慧 2郭小萌 2张昌淼 3何梦婷 3邱华 4马冬威3

作者信息

  • 1. 湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002 青岛恒兴科技学院,山东青岛266100
  • 2. 青岛大学材料科学与工程学院,山东青岛266071
  • 3. 湖北汽车工业学院汽车材料学院,湖北十堰442002
  • 4. 西北工业大学化学化工学院,陕西西安710072
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摘要

关键词

阻抗匹配/半导体/介电损耗/异质结构/电磁波吸收

分类

化学化工

引用本文复制引用

吴广荣,朱佳慧,郭小萌,张昌淼,何梦婷,邱华,马冬威..构建肖特基势垒并增强C@ZnO/Sn@GaN界面极化效应以实现高性能电磁波吸收[J].物理化学学报,2026,42(8):P.178-196,19.

基金项目

国家自然科学基金(52301192) （52301192）

山东省自然科学基金(ZR2024QE313) （ZR2024QE313）

中国博士后科学基金(2024M761554)的资助。 （2024M761554）

物理化学学报

1000-6818

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