真空电子技术Issue(4):P.17-24,8.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2026.04.02
电子束光刻用大电流密度阴极
李泽鹏 1郝广辉 1李娜 1孙信 1张珂 1冯进军1
作者信息
- 1. 北京真空电子技术研究所,北京100015
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摘要
关键词
电子束光刻/大电流密度阴极/归一化亮度/能散/热发射分类
数理科学引用本文复制引用
李泽鹏,郝广辉,李娜,孙信,张珂,冯进军..电子束光刻用大电流密度阴极[J].真空电子技术,2026,(4):P.17-24,8.