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电子束光刻用大电流密度阴极

李泽鹏 郝广辉 李娜 孙信 张珂 冯进军

真空电子技术Issue(4):P.17-24,8.
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真空电子技术Issue(4):P.17-24,8.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2026.04.02

电子束光刻用大电流密度阴极

李泽鹏 1郝广辉 1李娜 1孙信 1张珂 1冯进军1

作者信息

  • 1. 北京真空电子技术研究所,北京100015
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摘要

关键词

电子束光刻/大电流密度阴极/归一化亮度/能散/热发射

分类

数理科学

引用本文复制引用

李泽鹏,郝广辉,李娜,孙信,张珂,冯进军..电子束光刻用大电流密度阴极[J].真空电子技术,2026,(4):P.17-24,8.

真空电子技术

1002-8935

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