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沟槽终端Ga_(2)O_(3)/金刚石异质结二极管电学特性仿真研究

孙丛珊 胡继超 董林鹏 彭博 苏汉

人工晶体学报2026，Vol.55Issue(8)：P.1266-1273,8.
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人工晶体学报2026，Vol.55Issue(8)：P.1266-1273,8.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2026.0065

沟槽终端Ga_(2)O_(3)/金刚石异质结二极管电学特性仿真研究

孙丛珊 1胡继超 2董林鹏 2彭博 3苏汉1

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048
  • 2. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048 镓创未来半导体科技(晋江)有限公司,泉州362200
  • 3. 镓创未来半导体科技(晋江)有限公司,泉州362200 西安电子科技大学集成电路学部,西安710071
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摘要

关键词

Ga_(2)O_(3)/金刚石/异质结二极管/击穿电压/沟槽终端/电场集中

分类

数理科学

引用本文复制引用

孙丛珊,胡继超,董林鹏,彭博,苏汉..沟槽终端Ga_(2)O_(3)/金刚石异质结二极管电学特性仿真研究[J].人工晶体学报,2026,55(8):P.1266-1273,8.

基金项目

国家自然科学基金(62474139)。 （62474139）

人工晶体学报

1000-985X

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