人工晶体学报2026，Vol.55Issue(8)：P.1231-1251,21.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2026.0088
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的产业化现状与展望
齐红基 1周大顺2
作者信息
- 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 杭州富加镓业科技有限公司,杭州311421 上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室,上海201800
- 2. 莱布尼兹晶体生长研究所,柏林12489 NextGO Epi有限责任公司,柏林12489
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摘要
关键词
超宽禁带半导体/β-Ga_(2)O_(3)/单晶生长/薄膜外延/功率器件/产业化分类
数理科学引用本文复制引用
齐红基,周大顺..超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的产业化现状与展望[J].人工晶体学报,2026,55(8):P.1231-1251,21.
