- 年份
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- 作者单位
- 中国科学院上海技术物理研究所（14）
- 上海交通大学（1）
- 吉林大学（1）
- 语种
- 汉语（18）
- 关键词
- 分子束外延（10）
- HgCdTe（6）
- MBE（2）
- 实时监测（2）
- AlGaAs（1）
- As掺杂（1）
- GaAs（1）
- Hg0.68Cd0.32Te薄膜,光致发光(PL),喇曼散射,远红外透射（1）
- HgCdTe薄膜（1）
- In掺杂（1）
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- 作者
- 乔怡敏（18）
- 于梅芳（12）
- 何力（12）
- 巫艳（10）
- 杨建荣（7）
- 陈路（7）
- 王善力（6）
- 刘兴权（4）
- 吴俊（4）
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已找到 18 条结果
- 分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究北大核心CSCDCSTPCD
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- 分子束外延Hg0.68Cd0.32Te薄膜光致发光和喇曼散射的研究北大核心CSCD摘要：对利用MBE技术生长的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究.拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度,与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近;其半峰宽仅为5meV带尾能量小于1.3meV,显示了较高的薄膜质量.喇曼光谱测试表明,在119cm-1和138cm-1处有较强的喇曼散射峰,其中119cm-1峰为类HgTe的TO模,138cm-1为类HgTe的LO模;在93cm-1处也可以观察到一个较弱的喇曼散射峰.
- P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究北大核心CSCD