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已找到 18 条结果
- 用软件实现DS1820的CRC校验北大核心CSCD
- 基于DSP的SVPWM波实时生成方法摘要：通过对SVPWM算法的分析,在TMS320F241上分别以软件和硬件的形式实现了SVPWM波的输出,并对两种实现方法的输出效果进行了比较.
- 衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响北大核心CSCDCSTPCD
- 隐写分析--原理、现状与展望北大核心CSCDCSTPCD
- 彩色JPEG图像的隐写分析北大核心CSCD
- 非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长北大核心CSCD
- Mo掺杂SrBi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能北大核心CSCDCSTPCD摘要：用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,…查看全部>>
- 微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究北大核心CSCDCSTPCD
- 钒掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)拉曼光谱和X射线光电子能谱研究北大核心CSCD摘要：适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能.SBTi拉曼模的位置,基本不受V掺杂的影响,但对应Ti O6氧八面体的拉曼模在掺杂明显宽化,这与V5+取代进入Ti O6中的Ti4+后,材料局部无序性增大,应力增加有关.X射线光电子能谱表明,不同掺杂量样品的Bi4f和Ti2p的结合能未有明显变化,这与B位高价掺杂减少氧空位的特殊机制有关.材料的2Pr增加,是高价阳离子掺杂导致材…查看全部>>
- CaGa4晶体结构的多晶X-射线衍射研究