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- 一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法
- 4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析北大核心CSCDCSTPCD摘要：建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率fT以内得到了较为满意的结果.分析了不同的栅长、栅漏间距、不同的沟道掺杂以及温度变化对SiC MESFET特征频率fT的影响.
- 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光北大核心CSCDCSTPCD
- 4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究北大核心CSCDCSTPCD
- N型4H-SiC同质外延生长北大核心CSCDCSTPCD
- 4H-SiC埋沟MOSFET的研制北大核心CSCDCSTPCD
- 4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.
- 4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况.
- 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系北大核心CSCDCSTPCD摘要：利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电了谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(Vc)及络合体缺陷相关,Vc和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的Vc及其络合缺陷能级分散的程度.…查看全部>>
- 6H-SiC反型层电子库仑散射北大核心CSCD摘要：提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型，并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性．对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟，模拟结果和实验值相符．模拟结果表明，当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强，库仑电荷密度和分布也对反型层迁移率有着重要影响．