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- 右美托咪定复合地佐辛在老年高血压脑出血患者术后的临床应用效果CSTPCD
- 急诊腹腔镜治疗中期妊娠合并卵巢囊肿蒂扭转1例北大核心CSCD
- n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究北大核心CSCDCSTPCD摘要:在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-…查看全部>>
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