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- PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的组织结构及其压电性能研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料.使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构.使用ZJ-3A型准态仪、Automatic LCR Meter4225测试复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP1,介电损耗tgδ,以考察NiTi SMA薄膜对PZT压电性能的影响.测试结果显示复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP相对于PZT均有提高…查看全部>>
- Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷的温度稳定性研究北大核心CSCDCSTPCD
- PMSZT压电陶瓷材料的性能研究北大核心CSCD
- K0.8Fe2Se2晶体c轴向载流子输运特性的研究北大核心CSCDCSTPCD
- 烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷.分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响.结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料.其主…查看全部>>
- 铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响北大核心CSCD
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- Cr2O3掺杂Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷的性质北大核心CSCD摘要：探讨了Cr2O3掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射,电子顺磁共振以及扫描电镜分析了PMSZT+z Cr2O3(z=0.2%～0.8%,质量分数)陶瓷的相组成,元素价态以及显微结构.结果表明:合成温度900℃保温2 h后,可以得到钙钛矿结构.随着Cr2O3掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同相界向三方相移动.掺杂Cr2O3的质量分数为0.6…查看全部>>
- PZT-PMN-BF高活性粉体及压电变压器的制备北大核心CSCD
- Pr6O11掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的温度稳定性北大核心CSCDCSTPCD