- 年份
- 2004（1）
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- 刊名
- 电子元件与材料（1）
- 作者单位
- 天津大学（1）
- 语种
- 汉语（1）
- 关键词
- (PSN-PZN-PMS-PZT)压电陶瓷（1）
- 二次合成工艺（1）
- 保温时间（1）
- 升温速度（1）
- 无机陶瓷材料（1）
- 烧结温度（1）
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- 作者
- 孙清池（1）
- 徐明霞（1）
- 胜鹏（1）
- 陆翠敏（1）
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- 烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷.分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响.结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料.其主…查看全部>>