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粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究
作者：金鑫唐民于庆奎张洪伟梅博孙毅唐路平
发表期刊：电子与封装 2019年6期
关键词：器件仿真28nm单粒子效应电荷共享多位翻转
摘要：利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律.结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻转阈值不同,粒子LET值和入射角度的改变会对SRAM单元的单粒子翻转造成影响;LET值…查看全部>>
CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展CSTPCD
作者：赵元富王亮舒磊刘家齐刘琳岳素格李同德李园顾问
发表期刊：现代应用物理 2018年3期
关键词：CMOS集成电路单粒子效应仿真抗辐射加固交叉隔离错误猝熄
摘要：以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性.
130 nm SOI D触发器链空间静电放电效应和单粒子效应对比试验研究北大核心CSCD
作者：王璇蔡明辉陈睿韩建伟杨涵袁润杰陈钱梁亚楠蔡莹马英起
发表期刊：原子能科学技术 2021年12期
关键词：D触发器单粒子效应空间静电放电效应SOI
摘要：空间静电放电效应(SESD)和单粒子效应(SEE)是卫星设备异常的两个重要原因,但难以精确判断航天应用中产生的故障是由何种效应所导致.以130 nm SOI工艺D触发器(D flip-flop)链为试验对象,利用静电放电发生器和脉冲激光试验装置,通过改变辐射源能量、测试模式、拓扑结构以及抗辐射加固结构等试验变量,试验研究SESD和SEE引起软错误的异同规律特征,其试验结果可为故障甄别及防护设计提供支撑.
高速重离子混合束中Xe离子的特征X射线鉴别实验设计研究CSCDCSTPCD
作者：赵树勇郭刚隋丽张峥陈启明刘建成张书峰
发表期刊：原子能科学技术 2023年10期
关键词：X射线谱学单粒子效应ECR离子源光子探测器
摘要：空间重离子单粒子效应模拟试验技术依赖于串列静电加速器和回旋加速器,重离子回旋加速器通常使用ECR离子源进行离子注入,但这也往往导致引出的离子种类比较复杂。同时因为加速器中混合离子的荷质比相近,所以对引出离子进行准确鉴别具有一定难度。相关研究显示高速高电荷态重离子和原子发生碰撞之后,将使核外电子发生跃迁处于激发态,且电子在退激发过程中发射特征X射线,因此可以通过测量特征X射线能谱进而鉴别加速器引出的重离子种类。以Xe离子为例,本文研究了…查看全部>>
基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法
作者：谢文虎郑天池季振凯杨茂林
发表期刊：电子与封装 2022年7期
关键词：FinFETSRAM型FPGA单粒子效应多位翻转抗辐照测试
摘要：UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输(LET)等效机理,选取^(7)Li^(3+)、^(19)F^(9)、^(35)Cl^(11,14+)、^(48)Ti^(10,15+)、^(74)Ge^(11,20+)、^(127)I^(15,25+)、^(181)Ta、^(209)Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单…查看全部>>
影响GEO卫星长寿命高可靠的空间环境因素及其评估、验证和保障技术研究
作者：庞贺伟冯伟泉
发表期刊：航天器环境工程 2006年2期
关键词：空间特殊环境GEO卫星长寿命带电总剂量单粒子效应污染
摘要：文章叙述了空间环境与卫星长寿命高可靠的关系,着重分析了影响GEO卫星长寿命高可靠的各种空间环境效应,如:地磁亚暴电子造成的卫星表面带电及诱导的二次放电、辐射带高能电子引起卫星内带电、太阳耀斑质子和银河宇宙射线造成的单粒子效应、空间带电粒子和太阳电磁辐照造成的辐照总剂量效应以及空间环境下敏感表面的污染效应等.文章最后给出GEO卫星空间环境效应的评估、验证和保障技术研究的必要性及其主要研究方向.
FIFO SRAM单粒子效应的测试系统设计
作者：刘永灿潘滨李爱平
发表期刊：电子与封装 2015年12期
关键词：单粒子效应存储器测试NI工控机
摘要：随着航空航天事业的发展，器件的抗辐照性能变得越来越重要，因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机，设计四通道数据采集测试系统，用于监测FIFO SRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50 MHz，对器件的读写频率达10 MByte/s。该系统可实现对FIFO SRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中，既监测存储器的SEU效应，又监测了读写指针的S…查看全部>>
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
作者：张倩郝敏如
发表期刊：电子科技 2019年6期
关键词：应变SiNMOS器件总剂量辐射单粒子效应漏极瞬态电流漏极收集电荷
摘要：针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究.通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1 V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应.在2 kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88％,而漏极收集电荷增量高达29.15％,…查看全部>>
一种抗单粒子效应的加固技术研究
作者：齐贺飞王磊王鑫王绍权张梦月
发表期刊：现代信息科技 2022年6期
关键词：单粒子效应抗辐照三模冗余
摘要：针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于DICE单元的双稳态D触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的D触发器,并基于该D触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换芯片.测试表明,采用改进D触发器结构的波控芯片能够抵御至少80 MeV的单粒子效应事件.芯片峰值功耗不大于10 mA,写入速率不低于10 MHz,功耗为1 mW/MHz.
中国散裂中子源在大气中子单粒子效应研究中的应用评估北大核心CSCDCSTPCD
作者：王勋张凤祁陈伟郭晓强丁李利罗尹虹
发表期刊：物理学报 2019年5期
关键词：大气中子单粒子效应中国散裂中子源反角白光中子源
摘要：由于缺少可用的散裂中子源, 多年来我国在大气中子单粒子效应方面主要依靠模拟仿真和单能中子试验的方式开展研究. 随着中国散裂中子源(CSNS)通过国家验收, 基于CSNS开展大气中子单粒子效应研究成为可能. 本文利用CSNS反角白光中子源开展多款静态随机存取存储器器件的中子单粒子效应试验, 并与早期开展的高原大气试验结果进行对比, 对CSNS在大气中子单粒子效应研究中的应用进行评估. 结果表明,相同器件在CSNS反角白光中子源测得的单粒…查看全部>>

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