国家科技期刊平台

相关度

相关度
发表时间

每页显示10条

每页显示10条
每页显示20条
每页显示30条

已找到 35 条结果

声表面波器件在移动通信中的应用
作者：葛永明
发表期刊：移动通信 1997年2期
关键词：声表面波器件移动通信SAWF
摘要：本文简单介绍了声表面波滤波器的原理、声表面波滤波器在移动通信系统中的应用和应用中应注意的问题，展望了声表面波器件的发展趋势。
ZnO纳米粒子涂布纸张的制备、表征及其抗菌活性的研究CHSSCD
作者：刘苇侯庆喜段博
发表期刊：国际造纸 2007年4期
关键词：ZnO纳米粒子抗菌活性制备纸张涂布表征声表面波器件电学性能
摘要：ZnO由于具有很好的电学性能、光学特性和化学性能，而在半导体、光学装置、压电装置、声表面波器件、传感器、透射电极、太阳能电池、抗菌材料等方面有着广泛的应用。近十年来，有很多研究报道了用物理及湿部化学法合成ZnO纳米粒子，以及从应用的角度来控制其表面形态及性能。
薄膜声表面波器件的制备研究进展北大核心CSCDCSTPCD
作者：王锐杨成韬张树人李健雄
发表期刊：电子元件与材料 2008年2期
关键词：电子技术声表面波器件综述压电薄膜叉指换能器
摘要：介绍了薄膜声表面波器件的发展历史和特点,以及压电薄膜声表面波器件近年来国际上的研究进展,包括理论研究与实验进展的一些概况,并展望了其今后的发展趋势.
低损耗高Q值声表面波谐振器
作者：周卫
发表期刊：电讯技术 2004年5期
关键词：声表面波器件器件谐振器品质因素(Q值)损耗
摘要：介绍了低损耗高Q值声表面瑞利波和声表面横波谐振器的原理、结构、制作和关键的设计参数,以及实验结果.其中双端声表面瑞利波谐振器的有载Q值可达5 000以上,无载Q值可达20 000以上.
SAW多路正交码扩频调制解调器研究
作者：刘积学钟先信张勋
发表期刊：电讯技术 2004年5期
关键词：声表面波器件扩频调制解调器直接序列扩频
摘要：提出了一种直接序列多路正交码扩频调制解调器的声表面波(SAW)实现方案,并给出了相应的实验结果.
一种新型相位补偿与均衡技术
作者：白益林
发表期刊：电子技术参考 1998年4期
关键词：相位失真相位均衡抽头延迟线声表面波器件
摘要：为了提高通信质量，使信号无失真地传输，均衡技术广泛地应用于通信系统中，本文介绍一种新型相位均衡技术－－ＳＡＷ相位均衡技术，这种相位均衡技术可直接在中频甚至射频均衡，在许多通信系统中具有广阔的应用前景。文中介绍了几种ＳＡＷ相位均衡器的构造方法。
声表面波器件的封装技术及其发展
作者：童建军陈书明童筱钧
发表期刊：电子与封装 2005年8期
关键词：声表面波器件封装电磁馈通
摘要：目前各种声表面波器件的工作频率涵盖30MHz到3 000MHz的频率范围,其封装形式主要有塑料封装、金属封装(如F11、TO-39)和SMD封装.在本文中,作者对声表面波器件的这三种主要封装形式对声表面波器件电传输性的影响作了系统的实验研究与分析,并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势.
基于ZnO压电薄膜的柔性声表面波器件北大核心CSCDCSTPCD
作者：周剑何兴理金浩王德苗骆季奎
发表期刊：光学精密工程 2014年2期
关键词：柔性衬底ZnO薄膜压电薄膜声表面波器件
摘要：提出并制备了基于聚酰亚胺柔性衬底的声表面波(SAW)器件.在柔性聚酰亚胺衬底上低温反应磁控溅射沉积了ZnO压电薄膜;采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,原子力显微镜等设备对ZnO薄膜进行了检测,结果表明:ZnO薄膜晶粒呈柱状生长并且(002)择优取向,膜粗糙度小于9 nm,适合制作压电器件.在柔性衬底上制备了基于ZnO压电薄膜的SAW器件,该器件表现出良好的谐振性能.采用矢量网络分析仪检测器件的传输曲线,实验结果与仿真结果具有很好的一致…查看全部>>
氮化铝声表面波器件表面微液滴的声表面波操控研究北大核心CSTPCD
作者：庞华锋顾马龙李百宏
发表期刊：西安科技大学学报 2019年6期
关键词：微流体声学操控氮化铝薄膜声表面波器件
摘要：声学操控是实现芯片级微流体操控的重要方法之一,如何实现在新型压电器件表面用声表面波有效驱动操控微升量级流体是该方法中一个非常关键的问题.通过在氮化铝薄膜声表面波器件表面滴放不同体积微液滴,在微尺度下利用高速摄相机和红外热像仪研究分析了声表面波操控雷诺数较小的液滴流体力学特征和声波热效应.结果显示在较低加载功率条件下观察到声波激发液滴内粒子流场轨迹呈现出典型稳定的双涡旋蝶形结构;而加载功率继续增大时,液滴定向输运过程中输运速率随加载功…查看全部>>
氮化铝多层膜制备及其声表面波器件性能表征北大核心CSTPCD
作者：庞华锋
发表期刊：西安科技大学学报 2016年6期
关键词：氮化铝多层膜微观结构声表面波器件温度稳定性
摘要：采用直流磁控溅射方法,在硅衬底与超纳米晶金刚石衬底上沉积生长了氮化铝(0002)择优取向薄膜,研究了不同衬底对氮化铝薄膜应力的影响,并以此氮化铝多层膜为基础通过光刻加工得到声表面波器件,进而对其声学性能进行了分析.结果表明,在硅基底上沉积的氮化铝薄膜存在压应力,而在超纳米晶金刚石薄膜上生长的氮化铝薄膜表现出拉应力,这可能是因为界面应力平衡诱导产生的结果.氮化铝多层膜声表面波器件表现出较强的共振信号,硅衬底上声表面波器件的频率温度系数为…查看全部>>

12 3 4 >