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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成CSTPCD
作者：
发表期刊：太赫兹科学与电子信息学报 2024年9期
关键词：电路与系统功率半导体宽禁带半导体材料战略机遇期射频器件快速充电太赫兹技术瓶颈
摘要：近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。
简讯北大核心CSCDCSTPCD
作者：
发表期刊：西安电子科技大学学报（自然科学版） 2007年6期
关键词：教育部重点实验室宽禁带半导体材料国际会议并行处理器件
摘要：“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室顺利通过验收;我校成功举办第36届“并行处理国际会议”
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成CSTPCD
作者：郭宇锋
发表期刊：太赫兹科学与电子信息学报 2024年6期
关键词：电路与系统宽禁带半导体材料功率半导体射频器件Ga2O3太赫兹快速充电GaN
摘要：近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。
基于GaN FET的1MHz多路CLLC双向直流变换器CSTPCD
作者：侯宇琦王萍王议锋陈博
发表期刊：电气传动 2021年18期
关键词：双向直流变换器高频CLLC谐振GaN器件宽禁带半导体材料
摘要：基于双向CLLC拓扑提出了一种采用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)和平面磁集成技术的1 MHz半桥型高增益Multi-CLLC谐振变换器.该拓扑具有双向高增益特性和较高的功率密度,适用于分布式储能系统.分析了该变换器的工作原理、拓扑特点和参数设计方法.采用了平面磁集成技术,并提出了绕线及漏感分布改进方法.实验室研制了400 W样机,用于验证理论分析和参数设计的正确性,样机实现了最高92％的工作效率.
一种基于ZnO纳米棒阵列膜的H2O2传感器北大核心CSCDCSTPCD
作者：许美珠赵荣荣王建陈国南
发表期刊：分析化学 2009年A03期
关键词：纳米ZnOH2O2纳米棒阵列传感器宽禁带半导体材料半导体氧化物光致发光特性
摘要：氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物，作为一种重要的宽禁带半导体材料，用途十分广泛。当ZnO尺寸达到纳米级别时，展现出许多优异的、特殊的性质，如无毒和非迁移性、荧光性、压电性、吸收和散射紫外线能力等，因而备受研究者的关注。Wlen-Yan Su等报道H2O2对纳米ZnO的表面氧缺陷具有清除作用，能显著增强其光致发光特性。本文利用H2O2对ZnO纳米棒阵列膜光电流的显著增强作用，建立了一种H2O2检测的新方法。
基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较北大核心CHSSCDCSSCICSTPCD
作者：吴菲菲张亚茹黄鲁成苗红
发表期刊：情报杂志 2015年11期
关键词：氧化锌宽禁带半导体材料专利分析中外比较
摘要：利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较，根据主要竞争国家的综合竞争地位分析，发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高，但高质量专利较少，研发机构竞争实力不足，属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。