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HgCdTe光伏探测器在高温背景辐照下的I-V特性分析
北大核心
CSCD
CSTPCD
作者：
王晨飞
李言谨
发表期刊：
红外与毫米波学报 2006年4期
关键词：
HgCdTe
高温背景辐照
碰撞离子化
微分阻抗
摘要：
对中波HgCdTe光伏探测器进行了不同目标温度范围的黑体辐射I-V测试研究,结果表明器件光电流随着目标辐射的升高逐渐上升,同时器件微分阻抗随之下降;在同一背景红外辐射下,器件微分阻抗随着反向偏压的增加而下降.采用"lucky electron"模型对器件的R-V曲线进行了拟合,结果证实器件反偏微分电阻下降的主要原因是由于pn结耗尽区光生载流子的激增,碰撞电离导致的光电倍增效应所引起.
