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- BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究北大核心CSCD
- 采用Ag-Cu-In-Ti焊料连接碳化硅陶瓷北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带…查看全部>>
- β-FeSi2/Si薄膜位向关系的计算CSCD
- 采用Cu/Ti过渡层沉积金刚石薄膜刀具的界面结构
- 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响北大核心CSCDCSTPCD
- 纤维表面涂层对SiC(f)/SiC复相陶瓷力学性能和界面结构的影响北大核心CSCD摘要：报道了化学气相浸渍(CVI)工艺制备的SiC(f)/SiC复相陶瓷中纤维表面涂层对复合材料力学性能和显微结构的影响.SEM观察表明:C或BN表面涂层改变了SiC(f)/SiC复相陶瓷中纤维与基体间的强界面结合,使断裂过程中的界面解离和纤维拔出大大增加,与此同时材料的断裂韧性和断裂功明显提高.说明C或BN纤维表面涂层能够大大地改善SiC(f)/SiC复相陶瓷的脆性断裂行为模式.高分辨电镜的观察证实在CVI过程初期,纤维表面首先发生石墨界…查看全部>>
- Au/GaP接触体系界面特性的XPS分析北大核心CSCD
- BaTiO_3/SrTiO_3超晶格界面结构与光电性能关系研究北大核心CSCDCSTPCD
- 基于快速Kurtogram算法的中间介质随机共振信号特性分析
- 供应链合作关系的形成与发展研究北大核心CHSSCD