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CMOS微环境pH传感芯片研究北大核心CSCDCSTPCD
Authors：施朝霞朱大中
《传感技术学报》 2006年3期《传感技术学报》 Issue 3,2006
Keywords：离子敏场效应晶体管CMOS工艺多层浮栅集成参考电极
Abstract：基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET.利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口.片上集成100 μm×100 μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象.缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44 mV/…More>>
双沟道纳米场效应晶体管设计和pH传感器的实现北大核心CSTPCD
Authors：吴传健王轶卿杨敏
《山西大学学报（自然科学版）》 Issue 3,2021
Keywords：离子敏场效应晶体管双沟道纳米结构pH灵敏度
Abstract：基于纳米结构离子敏场效应晶体管构造的pH传感器具有微型化、响应快速以及灵敏度高等优势,在生物标志物检测、食品安全检测以及生物医学等领域应用广泛.文章首先基于Silvaco TCAD仿真器,设计了双沟道纳米结构的场效应晶体管,分析了栅介质材料、沟道材料和沟道厚度等结构参数对晶体管电学特性的影响规律,基于仿真结果确定选用栅介质层和沟道层材料,设定了双沟道结构的场效应晶体管的结构和参数.该设计有效降低亚阈值摆幅,并提高开关电流比.最后,依据…More>>
ISFET在FIA中的应用
Authors：王贵华虞惇武士香孙玉德姚建庭
《传感技术学报》 1989年2期《传感技术学报》 Issue 2,1989
Keywords：离子敏场效应晶体管流动注射分析技术
Abstract：本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与试剂用量少、重现性好及操作简便等特点。其测量范围和测量精度与ISFET的静态测量方法相同。
基于氧化铟纳米带的离子敏场效应晶体管的设计和实现CSTPCD
Authors：吴传健杨敏王轶卿
《测试技术学报》 2020年6期《测试技术学报》 Issue 6,2020
Keywords：氧化铟纳米带离子敏场效应晶体管微量溶液pH检测
Abstract：微量溶液pH值的检测在生物医学、食品质量监测以及环境监测等领域有着广泛的应用需求.本文设计了一种基于氧化铟(In2O3)纳米带的离子敏场效应晶体管,并将其用于微量溶液的pH值检测.采用In2O3纳米带为顶部沟道和硅衬底为底部沟道的双层沟道结构,有效提高了pH灵敏度.实验证明,该离子敏场效应晶体管在pH6到pH10范围内表现出良好的灵敏度,达到(74±5)mV/pH,超过常温下的能斯特极限59.2 mV/pH.并以急性心肌梗死标志物cT…More>>
一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型北大核心CSTPCD
Authors：卫铭斐于军琪陈登峰
《电子器件》 2011年4期《电子器件》 Issue 4,2011
Keywords：离子敏场效应晶体管器件模型静态特性动态特性
Abstract：采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET.从ISFET的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建立了悬浮栅结构ISFET的物理模型.以该模型为研究对象,探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等因素的关系,并对其静态特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符.