- 年份
- 2020（1）
- 2014（2）
- 2013（1）
- 2012（1）
- 2011（1）
- 2008（5）
- 2007（7）
- 2006（1）
- 2005（2）
- 2004（1）
- 更多...
- 核心收录
- 中国科学引文数据库(CSCD)（24）
- 北京大学中文核心期刊目录(北大核心)（23）
- 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)（21）
- 刊名
- 半导体学报（13）
- 物理学报（7）
- 电子器件（2）
- 中南大学学报（自然科学版）（1）
- 中国空间科学技术（1）
- 四川大学学报：自然科学版（1）
- 安徽大学学报（自然科学版）（1）
- 山西大学学报（自然科学版）（1）
- 液晶与显示（1）
- 更多...
- 作者单位
- 北京大学（4）
- 华南理工大学（3）
- 西安电子科技大学（3）
- 西安交通大学（2）
- 东南大学（1）
- 中南大学（1）
- 华北水利水电大学（1）
- 杭州电子科技大学（1）
- 江南大学（1）
- 河北工业大学（1）
- 更多...
- 语种
- 汉语（28）
- 关键词
- 表面势（28）
- 双极场引晶体管理论（6）
- 阈值电压（6）
- MOS场引晶体管（5）
- 同时并存空穴电子表面沟道和体积沟道（3）
- 多晶硅薄膜晶体管（3）
- 两区短沟道理论（2）
- 双极结型晶体管（2）
- 反型层（2）
- 应变硅（2）
- 更多...
- 作者
- 揭斌斌（6）
- 薩支唐（6）
- 代月花（3）
- 柯导明（3）
- 陈军宁（3）
- 孙家讹（2）
- 张鹤鸣（2）
- 胡辉勇（2）
- 邓婉玲（2）
- 邵志标（2）
- 更多...
相关度
- 相关度
- 发表时间
每页显示10条
- 每页显示10条
- 每页显示20条
- 每页显示30条
已找到 28 条结果
- 非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型CSTPCD
- MIS结构中ψs—VG关系的测定CSCD
- MOSFET表面势解析近似方法的改进北大核心CSCDCSTPCD
- 场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)北大核心CSCDCSTPCD摘要：场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六…查看全部>>
- 双极场引晶体管:Ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双MOS栅纯基)北大核心CSCDCSTPCD摘要：本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(…查看全部>>
- 双极场引晶体管:Ⅲ.短沟道电化电流理论(双MOS栅纯基)北大核心CSCDCSTPCD摘要：本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量,电子…查看全部>>
- 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型北大核心CSCD
- 考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型北大核心CSCD
- 基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型CSTPCD
- 用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型北大核心CSCDCSTPCD