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4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制北大核心CSCDCSTPCD
作者：郝跃杨燕张进城王平
发表期刊：半导体学报 2004年12期
关键词：4H-SiCAlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
摘要：报道了在4H-SiC衬底上AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果.器件采用栅长为0.7μm,夹断电压为-3.2V,获得了最高跨导为202mS/mm,最大漏源饱和电流密度为915mA/mm的优良性能和结果.
增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究北大核心CSCDCSTPCDSCI
作者：王冲全思马晓华郝跃张进城毛维
发表期刊：物理学报 2010年10期
关键词：高电子迁移率晶体管AlGaN/GaN增强型器件
摘要：深入研究了两种增强型.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N,中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Sc…查看全部>>
增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT北大核心CSCDCSTPCD
作者：王冲张金凤全思郝跃张进城马晓华
发表期刊：半导体学报 2008年9期
关键词：高电子迁移率晶体管AlGaN/GaN槽栅阈值电压
摘要：成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm.源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和,fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刎蚀前后的肖特基,Ⅰ-Ⅴ特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型北大核心CSCDCSTPCD
作者：马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃
发表期刊：物理学报 2012年4期
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管kink效应模型
摘要：初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析北大核心CSCD
作者：王冲郝跃张进城
发表期刊：西安电子科技大学学报（自然科学版） 2005年2期
关键词：微波功率器件AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
摘要：以蓝宝石为衬底研制出栅长1μm AlGaN/GaN HEMT导160mS/ mm,栅压.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3.19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.
AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：王冲张进城郝跃杨燕
发表期刊：半导体学报 2006年8期
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管热电子电子陷阱
摘要：采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.
非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT北大核心CSCDCSTPCD
作者：陈堂胜焦刚薛舫时曹春海李拂晓
发表期刊：半导体学报 2004年1期
关键词：宽禁带半导体AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管微波大功率
摘要：报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz,Vds=30V时输出功率为28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率(PAE)为48.3%.在6.2GHz,Vd…查看全部>>
P型GaN器件欧姆接触的研究进展北大核心CSCDCSTPCD
作者：王忆锋唐利斌
发表期刊：红外技术 2009年2期
关键词：GaN欧姆接触紫外光子探测器发光二极管高电子迁移率晶体管异质结场效应晶体管
摘要：Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究.低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备.制备稳定的P-GaN欧姆接触一直是一个挑战.主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进P-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展.
2～26GHz GaAs单片功率放大器北大核心CSCDCSTPCD
作者：陈雪军高建峰陈效建林金庭
发表期刊：电子学报 2000年11期
关键词：微波单片集成电路超宽带功率放大器高电子迁移率晶体管低噪声HP Root模型
摘要：报道了一个具有低噪声性能的2～26GHz GaAs超宽带单片功率放大器的研究结果,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程.放大器采用分布式设计,在超宽带频率范围内增益为6.5±0.5dB,输入输出驻波比小于2.0.在2～20GHz内测得输出功率大于300mW,噪声系数为3.5～5.5dB.单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路,芯片面积为3.2mm×1.275mm×0.1mm.
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管北大核心CSCDCSTPCD
作者：刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
发表期刊：半导体学报 2007年12期
关键词：截止频率高电子迁移率晶体管InGaAs/InAlAsInP
摘要：报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.

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