- 年份
- 2003（1）
- 核心收录
- 中国科学引文数据库(CSCD)（1）
- 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)（1）
- 北京大学中文核心期刊目录(北大核心)（1）
- 刊名
- 物理学报（1）
- 作者单位
- 西安电子科技大学（1）
- 语种
- 汉语（1）
- 关键词
- 4H-SiC,二极管,击穿特性,隧穿效应,碰撞离化,模型（1）
- 作者
- 吕红亮（1）
- 张义门（1）
- 张玉明（1）
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- 4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.