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UHF power amplifier design in 0.35μm SiGe BiCMOS
作者：Song JiayouLi ZhiqunWang Zhigon
发表期刊：高技术通讯（英文版） 2009年2期
关键词：power amplifierSiGeBiCMOSheterojunction bipolar transistor
摘要：A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazz's 0.35μm SiGe BiCMOS process. It was fully integrated excluding the inductors and the output matching network. Under a single 3.3V s…查看全部>>
一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器北大核心CSCDCSTPCD
作者：马德胜石寅代伐
发表期刊：半导体学报 2006年6期
关键词：BiCMOS宽带噪声系数线性度低噪声放大器SiGe
摘要：提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.
一种嵌入Bicmos带隙电路的过温保护电路
作者：吴斯敏邹雪城余国义
发表期刊：舰船电子工程 2007年4期
关键词：BiCMOS过温保护PTAT电流源迟滞功能
摘要：提出一种集成于带隙电路中的过温保护电路.该电路结构简单,在正常温度工作情况下不消耗额外功耗,具有低功耗的特性,同时电路不受电源电压变化的影响.电路采用JAZZ 0.5um BiCMOS工艺库模型,对电路进行仿真表明,电路对电源电压变化的抑制能力强、对阈值温度和迟滞温度差的精度高.
一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计CSTPCD
作者：王进军王侠史永胜马颖
发表期刊：陕西科技大学学报（自然科学版） 2009年3期
关键词：LDO过温保护BiCMOS
摘要：采用UMC 0.6 μm BiCMOS工艺设计了一款应用于LDO的高性能过温保护电路,该电路具有20 ℃的温度滞回区间,热关断点温度160 ℃、热开启点温度140 ℃,同时在输入电压2.5 ～6 V范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过6 ℃,具有较高的精度,满足LDO宽输入电压范围的要求.
BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计CSTPCD
作者：吕海凤李海松吴虹孙伟锋
发表期刊：电子器件 2008年2期
关键词：BiCMOSVNPNβ[BV]CEOTCAD
摘要：BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求.结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案.在线流片结果表明优化后:晶体管β=47,[BV]CEO=9.5 V,达到了低频功率晶体管的应用要求,同时保证了BiCMOS工艺中的CMOS器件性能不变,并且工艺稳定可在线量产.因此这种优化设计是可取的.
BiCMOS工艺的高线性度下变频混频器设计CSTPCD
作者：李雪刚吴建辉
发表期刊：电子器件 2008年2期
关键词：射频集成电路设计BiCMOS吉尔伯特单元线性度
摘要：利用BiCMOS工艺设计了一种高线性度下变频混频器.在此变频混频器的设计中结合了双极型工艺在射频段的高性能以及MOS工艺的高线性度,并利用其对传统的吉尔伯特单元进行了优化.基于JAZZ 0.35μm标准BiCMOS SBC35工艺设计参数对混频器进行了设计和仿真,仿真结果表明该混频器获得了良好的性能指标,转换增益为9.3 dB,输入3阶互调点达到了16 dBm,在5 V单电源下消耗1.9 mA的电流.
一种BiCMOS欠压保护电路的设计
作者：王锐唐婷婷
发表期刊：电子科技 2006年10期
关键词：欠压保护功率集成电路BiCMOS
摘要：基于0.6μm BiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路.该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源.仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能.
一种解决无线局域网直下变频接收机直流漂移的方法北大核心CSCDCSTPCD
作者：许奇明石寅高鹏胡雪青颜峻徐化陈弘达
发表期刊：半导体学报 2006年4期
关键词：直流漂移无线局域网BiCMOS
摘要：提出了一种符合IEEE802.11a无线局域网的5GHz直下变频接收机解决直流漂移的方法.该方法利用双平衡混频器输出端的模拟反馈环路消除直流漂移.该混频器经过测试,在5.15GHz频率下具有9.5dB的转换增益,13.5dB的噪声系数和7.6dBm的三阶交调,在3.3V电源电压条件下67mW的功耗,以及1.73mV的直流漂移,并能使直流漂移减少76%.该方案及整个直下变频的WLAN接收机已经采用0.35μm SiGe…查看全部>>
一种新型高速低功耗BiCMOS分频器CSTPCD
作者：李勇许永生赖宗声金玮陶永刚洪亮景为平
发表期刊：电子器件 2006年3期
关键词：BiCMOS触发式分频器跟踪差分对交叉耦合对跟踪模式锁存模式
摘要：本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点.作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能.通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度.同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗.采用0.8μm BiCMOS模型在CadenceSPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4 GHz,功耗为-1.61 dBm.
新型可内置软启动电路的设计及其应用CSTPCD
作者：王松林朱枫来新泉
发表期刊：电子器件 2007年6期
关键词：开关电源内置软启动电路BiCMOS浪涌电流过冲
摘要：提出了一种基于BiCMOS工艺设计的芯片内置软启动电路,用于避免启动过程中浪涌电流及输出电压过冲对电子系统造成损害.该电路结构简单,无需使用外部软启动电容,可完全集成在芯片内,有效节省了应用电路板空间和元件成本.经HSPICE仿真验证,证明该电路仅使用一个10 pF的小电容即可实现1 ms的软启动时间.该电路可应用于各种开关电源中.

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