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固体冲压发动机燃气阀用C/SiC复合材料研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：闫联生李贺军崔红王涛邓海涛李广武
发表期刊：固体火箭技术 2006年2期
关键词：固体冲压发动机燃气阀流量调节"CVI+PIP"混合工艺C/SiC复合材料
摘要：采用"化学气相渗透法+先驱体浸渍裂解法"(CVI+PIP)混合工艺制备了固体冲压发动机燃气阀用3D C/SiC复合材料,并对复合材料的显微结构和力学性能进行了研究.复合材料的密度为2.1 g/cm3,复合材料的室温剪切强度和轴向弯曲强度分别为55 Mpa和643 Mpa.在断裂过程中,复合材料表现出明显非灾难性的韧性断裂行为,试样断裂面存在大量的拔出纤维.复合材料具有优异的绝热性能,Z向热导率为14.5 W/(m·K),X-Y面内热导…查看全部>>
"CVI+压力PIP"混合工艺制备低成本C/SiC复合材料北大核心CSCDCSTPCD
作者：闫联生李贺军崔红王涛
发表期刊：无机材料学报 2006年3期
关键词：C/SiC复合材料低成本"CVI+压力PIP"混合工艺
摘要：以低成本填料改性有机硅浸渍剂作为先驱体,采用"化学气相渗透法+压力先驱体浸渍裂解法"(CVI+P-PIP)混合工艺制备了低成本C/SiC陶瓷复合材料.研究了浸渍剂裂解机理,探讨了界面涂层对复合材料性能的影响.结果表明,填料改性有机硅浸渍剂裂解产物结构致密、陶瓷产率高;压力可提高填料改性有机硅浸渍剂的致密效率.混合工艺充分利用沉积SiC基体和裂解SiC基体的致密化特点,有效缩短了制备周期.C/SiC/C三层界面不仅可降低纤维/基体之间结…查看全部>>
C/SiC复合材料残余应力的电火花小孔法测定研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：于坤张长瑞曹英斌刘荣军
发表期刊：国防科技大学学报 2009年2期
关键词：电火花方法残余应力测量小孔法C/SiC复合材料
摘要：进行了C/SiC复合材料残余应力的小孔法表征.基于现有小孔法的不足以及材料的较好电导率,提出了电火花打孔法的残余应力测量方法,建立了相应的残余应力测量流程.进行了不同平整表面样品的残余应力测量.结果表明电火花打孔法具有较好的区分性,也表明C/SiC复合材料具有较小的本征残余应力和机加工应力,这说明:C/SiC复合材料作为反射镜材料具有很好的面形稳定性的优势.
加热方式对C/SiC复合材料结构与性能的影响CSCDCSTPCD
作者：尹洪峰任耘徐永东成来飞张立同
发表期刊：航空材料学报 2002年3期
关键词：C/SiC复合材料加热方式沉积机制显微结构力学性能
摘要：利用化学气相浸渗法制备了C/SiC复合材料,研究了两种加热方式(电阻加热和中频感应加热)下SiC沉积物形貌、沉积机制以及复合材料结构和性能.结果表明:电阻加热时沉积单元为高温熔滴,SiC沉积物为卵石形貌;感应加热时沉积单元为SiC固体粒子,SiC沉积物为粒状形貌.电阻加热时高温熔滴易于渗入纤维束内部,复合材料结构均匀,致密度高;而感应加热时SiC固体粒子多以团聚体的形式沉积在纤维束表面,难于渗入纤维束内部,复合材料结构均匀性差,难以致…查看全部>>
C/SiC复合材料与CVD SiC涂层的结合性能研究CSCDCSTPCD
作者：张玉娣张长瑞刘荣军刘晓阳
发表期刊：航空材料学报 2004年4期
关键词：C/SiC复合材料热膨胀系数匹配CVDSiC涂层
摘要：采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料.结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVD SiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVD SiC涂层.
电泳沉积-烧结两步法制备C/SiC复合材料CSCDCSTPCD
作者：赵文涛蒲延芳吴永涛闻学兵史景利
发表期刊：玻璃钢/复合材料 2010年6期
关键词：电泳沉积烧结SiC涂层C/SiC复合材料
摘要：采用电泳沉积法在石墨基体上制备厚度可控的Si涂层,考察了电泳沉积参数(电压、沉积时间、固含量及添加剂量)对涂层沉积量的影响.所制备的sj涂层通过烧结与石墨基体发生在位反应形成SiC涂层.涂层成分的XRD分析表明烧结后生成β-SiC.用SEM观察涂层烧结前后的形貌,烧结后Si渗入基体内部.孔径分布数据表明所形成的SiC涂层导致石墨孔径变小.1200℃的抗氧化实验表明涂层起到了良好的防护作用.实验提供了一种制备C/SiC复合材料的新方法.
CVD SiC涂层对3D C/SiC氧化行为的影响北大核心CSCD
作者：吴守军成来飞张立同徐永东陈照峰
发表期刊：无机材料学报 2005年1期
关键词：C/SiC复合材料涂层氧化缺陷
摘要：采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C/SiC上制备了多层CVDSiC涂层.利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析,考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防护效果.慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制,所制备的多层涂层可以消除涂层间隙,连贯的结合为一整体,能显著提高涂层防护效果,材料在1300℃空气中氧化30h后的失重率可控制在1%以下.
反应熔体浸渗法制备C/SiC复合材料的显微结构与摩擦性能北大核心CSCD
作者：姜广鹏徐永东张军战楼建军张立同成来飞
发表期刊：玻璃钢/复合材料 2005年1期
关键词：反应熔体浸渗法C/SiC复合材料显微结构摩擦性能
摘要：C/SiC复合材料由于密度小、耐磨性好、耐高温等一系列优异性能,极有希望成为新一代的先进摩擦材料.反应熔体浸渗法由于工艺简单、成本低等优点最适合制造摩擦用C/SiC复合材料.本文采用反应熔体浸渗法制备C/SiC复合材料,进行显微结构和X射线衍射分析,测试试样的开气孔率、热扩散率及摩擦性能.结果表明材料致密度高,开气孔率为3.1～4.4%,热扩散率为0.089cm2/s.RMI工艺过程中有微小孔洞及裂纹产生.摩擦性能在后几次刹车实…查看全部>>
CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究CSTPCD
作者：张玉娣张长瑞
发表期刊：材料科学与工程学报 2004年5期
关键词：化学气相渗透先驱体浸渍裂解C/SiC复合材料显微结构
摘要：采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.
C/SiC复合材料热辐射性能研究北大核心CSCD
作者：武文明成来飞张立同徐永东陈杰锋
发表期刊：固体火箭技术 2005年4期
关键词：C/SiC复合材料半球向总发射率法向光谱反射率预制体编织方式涂层厚度
摘要：利用稳态量热计法和傅里叶红外光谱仪分别测定了C/SiC复合材料在90℃时的半球向总发射率和室温法向光谱反射率.研究了纤维预制体编织方式、涂层厚度及表面形貌对C/SiC复合材料热辐射性能的影响.结果表明,3D C/SiC复合材料的热辐射性能优于2D C/SiC.2D C/SiC的总发射率为0.78,3D C/SiC达到0.82;SiC涂层厚度对C/SiC复合材料的热辐射性能影响很大,随着SiC涂层厚度的增加,C/SiC总发射率先降…查看全部>>

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