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n型4H-SiC MOS电容的特性北大核心CSCD
作者：宁瑾刘忠立高见头
发表期刊：半导体学报 2005年z1期
关键词：4H-SiCMOS电容C-V特性热生长SiO2
摘要：在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.
硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究CSCD
作者：付承菊郭冬云黄志雄
发表期刊：材料科学与工程学报 2005年1期
关键词：Bi4 Ti3O12铁电薄膜Sol-Gel法C-V特性
摘要：Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.
Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的制备及其C-V特性研究CSTPCD
作者：王华
发表期刊：材料科学与工程学报 2004年5期
关键词：铁电薄膜C-V特性Sol-Gel法Bi4Ti3O12
摘要：为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿c-轴择优取向生长的趋势,而Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V特性曲线则表明,该异质结可实现电极化存储.此外,对该…查看全部>>
Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：李强介万奇傅莉汪晓芹查钢强曾冬梅杨戈
发表期刊：人工晶体学报 2006年3期
关键词：CZT晶体PL谱I-V特性C-V特性
摘要：对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流.主要原因是在CZT表面钝化生成的T…查看全部>>
衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响北大核心CSCDCSTPCD
作者：刘玉荣杜开瑛李观启
发表期刊：半导体学报 2002年8期
关键词：直接光CVDSiO2薄膜C-V特性
摘要：采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜.通过椭圆偏振法、红外光谱法、C-V特性法对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究.结果表明: 衬底温度在40～200℃范围内,薄膜的折射率在1.40～1.46之间,在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰.SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大,其最小值可达1.73×1010cm-2.
新型HfO2栅介质电特性的理论分析与实验研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：蔡乃琼刘红侠
发表期刊：西安电子科技大学学报（自然科学版） 2008年3期
关键词：二氧化铪C-V特性界面态氧化层陷阱
摘要：对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.
SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变北大核心CSCDCSTPCD
作者：郜锦侠张义门张玉明
发表期刊：半导体学报 2006年7期
关键词：埋沟MOS结构夹断模式C-V特性SiC畸变
摘要：用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.
1-3μm硼注入碲镉汞光伏器件的C-V和G-V特性研究北大核心CSCD
作者：赵军方家熊
发表期刊：红外与毫米波学报 1995年2期
关键词：碲镉汞光伏探测器硼注入C-V特性
摘要：利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的C-V和G-V特性.实验结果表明:器件有着复杂的内在结构,可能是npn+三层结构中的pn+结起主导作用.此外,所有器件的C-V特性都表现出相似的反常特性,室温下这种效应比低温下更为明显.
基于C-V,I-V,Q-V特性的铁电电容新模型北大核心CSCD
作者：陈小明汤庭鳌
发表期刊：半导体学报 2005年5期
关键词：铁电电容模型C-V特性电偶极子概率密度函数
摘要：推导出描述铁电电容电气特性的新模型.铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容)和非开关电容(普通线性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成.根据实验测试的铁电电容的C-V特性,选定电偶极子矫顽电压的概率密度函数为t分布,从而推导出只用6个参数描述的铁电电容的C-V,I-V和Q-V关系式,根据这些关系式仿真的结果与实验结果基本吻合.
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究北大核心CSTPCD
作者：王玉青王巍申君君
发表期刊：重庆邮电大学学报（自然科学版） 2009年1期
关键词：SiC埋沟MOSFETC-V特性界面态
摘要：研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系.在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型.由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异.

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