相关度
- 相关度
- 发表时间
每页显示10条
- 每页显示10条
- 每页显示20条
- 每页显示30条
已找到 6 条结果
- 一个10位、50MS/s CMOS折叠流水结构A/D转换器北大核心CSCDCSTPCD
- 200Ms/s 177mW 8位折叠内插结构的CMOS模数转换器北大核心CSCDCSTPCD摘要：介绍了一个采用折叠内插结构的CMOS模数转换器,适合于嵌入式应用.该电路与标准的数字工艺完全兼容,经过改进的无需电阻就能实现的折叠模块有助于减小芯片面积.在输入级,失调平均技术降低了输入电容,而分布式采样保持电路的运用则提高了信号与噪声的失真比.该200MHz采样频率8位折叠内插结构的CMOS模数转换器在3.3V电源电压下,总功耗为177mW,用0.18μm 3.3V标准数字工艺实现.
- 一种学习速率自适应的可编程片上学习BP神经网络电路系统的设计北大核心CSCD摘要：设计了一种学习速率自适应的可编程片上学习BP神经网络电路系统.整个系统由前向网络、误差反传网络两部分组成.提出了一种新型的可编程S型函数及其导数的发生器电路.它不仅产生S型函数，完成非线性I－V转换；还利用前向差分法，产生S型函数的导数.这两种函数不仅与理想函数的拟合程度很好，而且易实现对阈值和增益因子的编程.为提高BP神经网络片上学习的收敛速度，还提出了学习速率自适应电路.本文采用标准1.2μm CMOS工艺的模型参数，对整个系统进…查看全部>>
- 一种CMOS折叠结构ADC中的失调抵消技术北大核心CSCDCSTPCD摘要：CMOS折叠预放电路的失调是限制CMOS折叠结构A/D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一.文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调,从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A/D转换器提供了一种可行方案,并给出了MATLAB和电路仿真的实验结果.
- 一种新型的高性能CMOS电流比较器电路北大核心CSCD摘要：分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点，提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗，从而使电压的变化幅度减小，所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度．电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗．利用1.2μm CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟，结…查看全部>>
- 一种可扩展BP在片学习神经网络芯片北大核心CSCDCSTPCD摘要：基于0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了一种可扩展BP在片学习神经网络芯片.该芯片包含8个神经元和64个突触.提出了一种新颖的可扩展拓扑结构,使得利用该芯片构成完整的神经网络系统时,不需附加额外的神经元误差计算芯片;将L个芯片层叠起来就可以得到一个L层的神经网络.该芯片采用模拟电路,利用电容进行电荷存储,在片学习本身可用于权重刷新以保证权重值的正确性.奇偶校验实验证明了该神经网络芯片具有在片学习的能力.