国家科技期刊平台

相关度

相关度
发表时间

每页显示10条

每页显示10条
每页显示20条
每页显示30条

已找到 6 条结果

湿氧钝化CdSe(110)表面的XPS分析北大核心CSCDCSTPCD
作者：罗政纯朱世富赵北君王瑞林陈松林何知宇李艺星任锐
发表期刊：人工晶体学报 2004年2期
关键词：CdSe单晶体表面钝化XPS
摘要：用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x＜1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.
CdSe晶片的红外透过率研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光曾体贤
发表期刊：人工晶体学报 2007年6期
关键词：探测器材料CdSe单晶体红外光谱吸收机制
摘要：将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SHIMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法.
CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡北大核心CSCDCSTPCD
作者：金应荣朱世富赵北君王学敏宋芳李奇峰
发表期刊：人工晶体学报 2002年3期
关键词：CdSe单晶体气相生长相平衡
摘要：化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120～1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.
硒化镉单晶体的研究进展北大核心CSCDCSTPCD
作者：杨辉张志勇张敏王茂州陈太红曾体贤
发表期刊：人工晶体学报 2016年9期
关键词：CdSe单晶体气相提拉法非线性光学器件中红外波片
摘要：总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量.介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdSe晶体制作中红外偏振测量用波片进行了展望.
制备室温CdSe探测器的研究北大核心CSCD
作者：宋芳赵北君朱世富金应荣邵双运杨文彬王学敏于丰亮李正辉
发表期刊：四川大学学报：自然科学版 2001年S1期
关键词：多级提纯垂直气相法CdSe单晶体半导体探测器
摘要：报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .
CdSe单晶体的生长及其特性研究北大核心CSCD
作者：邵双运金应荣朱世富赵北君宋芳王学敏朱兴华
发表期刊：人工晶体学报 2001年2期
关键词：CdSe单晶体多级提纯气相生长电阻率
摘要：本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了观测，其电阻率为107Ωcm量级，电子陷阱浓度为108cm-3量级，第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶，设备简单，易于操作，在提纯和生长过程中不需要转移原料，有利于减少晶体中的杂质含量，降低位错密度，改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。