• 年份
  • 2007(1)
  • 2005(1)
  • 核心收录
  • 中国科学引文数据库(CSCD)(2)
  • 北京大学中文核心期刊目录(北大核心)(2)
  • 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)(1)
  • 刊名
  • 人工晶体学报(2)
  • 作者单位
  • 兰州大学(2)
  • 语种
  • 汉语(2)
  • 关键词
  • Cu3N薄膜(2)
  • 应用(1)
  • 热稳定性(1)
  • 电阻率(1)
  • 研究现状(1)
  • 更多...

  • 作者
  • 闫鹏勋(2)
  • 刘金良(1)
  • 岳光辉(1)
  • 王君(1)
  • 苗彬彬(1)
  • 陈江涛(1)
  • 更多...

相关度
  • 相关度
  • 发表时间
每页显示10条
  • 每页显示10条
  • 每页显示20条
  • 每页显示30条
已找到 2 条结果
  • Cu3N薄膜及其研究现状北大核心CSCDCSTPCD
    摘要:Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或…查看全部>>
  • 多晶氮化铜薄膜制备及性能研究北大核心CSCD
    摘要:采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17~26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率…查看全部>>