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- 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析北大核心CSCDCSTPCD
- AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用北大核心CSCDCSTPCDSCI摘要：为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分…查看全部>>
- 高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器北大核心CSCDCSTPCD
- Simulated study on the InP/InGaAs DHBT under proton irradiationCSCDCSTPCD