- 年份
- 2022(1)
- 2019(1)
- 2018(1)
- 2016(1)
- 2014(1)
- 2013(2)
- 2008(1)
- 2005(3)
- 2004(1)
- 2003(1)
- 更多...
- 核心收录
- 北京大学中文核心期刊目录(北大核心)(15)
- 中国科学引文数据库(CSCD)(12)
- 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)(6)
- 中文社会科学引文索引(CSSCI)(1)
- 更多...
- 刊名
- 半导体学报(5)
- 中国新技术新产品(1)
- 北京科技大学学报(1)
- 华中科技大学学报(自然科学版)(1)
- 华中科技大学学报:自然科学版(1)
- 厦门大学学报:自然科学版(1)
- 四川大学学报:自然科学版(1)
- 大功率变流技术(1)
- 现代应用物理(1)
- 现代电子技术(1)
- 更多...
- 作者单位
- 中国科学院半导体研究所(3)
- 华中科技大学(2)
- 西安电子科技大学(2)
- 北京大学(1)
- 四川大学(1)
- 大连理工大学(1)
- 浙江大学(1)
- 西北大学(1)
- 更多...
- 语种
- 汉语(20)
- 关键词
- MOS电容(20)
- 4H-SiC(3)
- 碳化硅(3)
- C-V特性(2)
- 低压化学汽相淀积(2)
- 氧化物(2)
- 界面态(2)
- 6H-SiC(1)
- N2O氮化(1)
- RF-LDMOS(1)
- 更多...
- 作者
- 刘忠立(3)
- 于军(2)
- 徐静平(2)
- 李诚瞻(2)
- 赵艳黎(2)
- 钟德刚(2)
- 陈喜明(2)
- 严晓浪(1)
- 从密芳(1)
- 何宝平(1)
- 更多...
相关度
- 相关度
- 发表时间
每页显示10条
- 每页显示10条
- 每页显示20条
- 每页显示30条
已找到 20 条结果
- n型4H-SiC MOS电容的特性北大核心CSCD
- n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究北大核心CSCDCSTPCD摘要:在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-…查看全部>>
- 混沌随机数发生器的设计北大核心CSCD
- N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进北大核心CSCD
- Si/SiO2及Si/SiO2/Si3N4系统的总剂量辐射损伤北大核心CSCDCSTPCD
- N型6H-SiC MOS电容的电学特性北大核心CSCD
- 非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量CSCD
- 4H-SiC栅氧氮化工艺优化
- 一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法北大核心CSTPCD
- 基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆栈MOS 电容的特性研究北大核心CSTPCD