- 年份
- 2005（2）
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- 关键词
- 4H-SiC（2）
- Schottky势垒高度（2）
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- 作者
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- Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究北大核心CSCD摘要：采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的…查看全部>>
- 不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究北大核心CSCD