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- 周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响北大核心CSTPCD摘要:为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能,采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)n(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜.通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响.结果表明,随着周期数n的增加,(BSZT/BTO)n薄膜结晶性增强,介电常数增大,介电损耗减小.在1 MHz测试条件下,(BSZT/BTO)4薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电…查看全部>>
- Bi2O3过量对熔盐法制备Bi4Ti3O12粉体的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要:以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数.结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5 %,1 100℃烧结2 h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理.
- 烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要:采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷.分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响.结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料.其主…查看全部>>
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- 从1类瓷介电容器美国军用标准看有无可靠性指标要求的两种标准的区别北大核心CSCDCSTPCD
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- 3D表面碳纳米管薄膜的生长及其强流脉冲发射的增强北大核心CSCDCSTPCD
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- 具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET北大核心CSTPCD