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多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响

蒋朝伦 陶明德

电子元件与材料2003,Vol.22Issue(6):11-13,3.
电子元件与材料2003,Vol.22Issue(6):11-13,3.

多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响

Dependence of Grain Boundary on Conductivity of Polycrystalline Oxide Semiconductor

蒋朝伦 1陶明德1

作者信息

  • 1. 风华电子工程研究开发中心,广东 肇庆 526020
  • 折叠

摘要

关键词

多晶体氧化物半导体/晶界/电导/材料常数

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

蒋朝伦,陶明德..多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响[J].电子元件与材料,2003,22(6):11-13,3.

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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