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电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型

胡恩平 罗兴柏 彭永怀

电子元件与材料2001,Vol.20Issue(1):1-2,4,3.
电子元件与材料2001,Vol.20Issue(1):1-2,4,3.

电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型

MΦItoft statistical model for parametric drift of electronic components

胡恩平 1罗兴柏 1彭永怀1

作者信息

  • 1. 军械工程学院,
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摘要

Abstract

Parametric drift model describes behaviors of components as they drift away from their nominal values. Study on parametric drift behavior is much more important as reliability is developing toward failure-free or maintenance-freenmoperating. With MΦItoft statistical model, parametric drift behaviors of electronic components are described, and lifetime of components predicted on the basis of early life measurements. An example is given. (3 refs.)

关键词

电子元件/参数漂移/MΦ Itoft统计模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡恩平,罗兴柏,彭永怀..电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型[J].电子元件与材料,2001,20(1):1-2,4,3.

电子元件与材料

OA北大核心CSCD

1001-2028

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