电子元件与材料2003，Vol.22Issue(7)：14-16,3.
SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究
Characterization of SiNx Film Based on SiH4-NH3-N2 System Prepared by LPCVD
摘要
关键词
低压化学气相沉积/氮化硅薄膜/化学组成/折射率分类
通用工业技术引用本文复制引用
刘学建,黄智勇,蒲锡鹏,黄莉萍..SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究[J].电子元件与材料,2003,22(7):14-16,3.基金项目
上海市科技发展基金资助项目(00JC14015) （00JC14015）
