电子元件与材料2004，Vol.23Issue(10)：14-16,3.
射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响
Effect of RF Power on Depositional Rate and Microstructure of a-C:F Thin Film
刘雄飞 1高金定 1周昕 1肖剑荣 1张云芳1
作者信息
- 1. 中南大学物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083
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摘要
关键词
电子技术/射频功率/a-C:F薄膜/沉积速率/结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘雄飞,高金定,周昕,肖剑荣,张云芳..射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响[J].电子元件与材料,2004,23(10):14-16,3.
