含N'N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理OA北大核心CSCDCSTPCD
Research on copper gap-filling in micro electroplating process with N'N-diethylthiourea
为了研究含N'N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法研究了N'N一二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响,并借助塔菲尔方程,研究了微电铸铜反应过程中的电极动力学参数.结果表明,当微电铸铜工艺中加入N'N-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,提高了铜离子还原时所需的活化能,金属离子的放电速度从2.2214mA/cm2降低到约0.076mA/cm2,从而增加了反应…查看全部>>
张涛;吴一辉;杨建成;张平;刘永顺
天津工业大学,机械电子学院,天津,300160中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林,长春,130033天津工业大学,机械电子学院,天津,300160中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林,长春,130033中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林,长春,130033
信息技术与安全科学
微电铸工艺N'N-二乙基硫脲活性极化电化学行为填洞能力
《光学精密工程》 2008 (9)
微尺度液体的主动混合及其光纤消逝场探测技术研究
1701-1705,5
国家自然科学基金资助项目(No.60574089)天津工业大学青年基金资助项目(No.029735)
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