电子元件与材料2002，Vol.21Issue(12)：17-19,3.
SiC材料升华法生长机理
SiC Growth by the Sublimation Method: Growth Mechanism
潘晖 1佟丽英 2曹全喜1
作者信息
- 1. 西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071
- 2. 信息产业部电子第46研究所,天津,300220
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摘要
关键词
碳化硅升华法生长/热传输/物质传输/缺陷/化学计量比分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
潘晖,佟丽英,曹全喜..SiC材料升华法生长机理[J].电子元件与材料,2002,21(12):17-19,3.
