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一款异步256kB SRAM的设计

潘培勇 李红征

电子与封装2007,Vol.7Issue(10):17-20,4.
电子与封装2007,Vol.7Issue(10):17-20,4.

一款异步256kB SRAM的设计

Design of 256-kbit Asynchronous SRAM

潘培勇 1李红征2

作者信息

  • 1. 江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214036
  • 2. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
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摘要

关键词

静态随机存储器/存储单元/译码器/灵敏放大器/地址变化探测电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

潘培勇,李红征..一款异步256kB SRAM的设计[J].电子与封装,2007,7(10):17-20,4.

电子与封装

1681-1070

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