电子与封装2007,Vol.7Issue(10):17-20,4.
一款异步256kB SRAM的设计
Design of 256-kbit Asynchronous SRAM
潘培勇 1李红征2
作者信息
- 1. 江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214036
- 2. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
- 折叠
摘要
关键词
静态随机存储器/存储单元/译码器/灵敏放大器/地址变化探测电路分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
潘培勇,李红征..一款异步256kB SRAM的设计[J].电子与封装,2007,7(10):17-20,4.