采用表面光伏谱方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱在不同温度下光伏效应。结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量,强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系。
作者:余辛
作者单位:厦门大学物理学系;厦门大学物理学系
分类:数理科学
中文关键词:光伏谱应变量子阱砷化镓InGaAs
刊名:《厦门大学学报(自然科学版)》 1998 (2)
页码/页数:182,1
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