首页|期刊导航|厦门大学学报(自然科学版)|InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱OA北大核心CSCD

中文摘要

采用表面光伏谱方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱在不同温度下光伏效应。结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量,强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系。

余辛

厦门大学物理学系;厦门大学物理学系

数理科学

光伏谱应变量子阱砷化镓InGaAs

《厦门大学学报(自然科学版)》 1998 (2)

182,1

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