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高补偿硅的阻–温特性

张建 巴维真 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫

电子元件与材料2004,Vol.23Issue(4):19-21,3.
电子元件与材料2004,Vol.23Issue(4):19-21,3.

高补偿硅的阻–温特性

Highly Compensated Si:Resistivity-temperature Characteristic

张建 1巴维真 1陈朝阳 1丛秀云 1陶明德 1M.K.巴哈迪尔哈诺夫2

作者信息

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 2. 塔什干国立技术大学,乌孜别克斯坦共和国塔什干,700095
  • 折叠

摘要

关键词

高补偿硅/光敏/深能级

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫..高补偿硅的阻–温特性[J].电子元件与材料,2004,23(4):19-21,3.

基金项目

国家外专局科研基金资助项目(20036500065) (20036500065)

中国科学院西部之光人才培养项目 ()

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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