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CuO、V2O5掺杂(1-x)BiNbO4-xZnTaO6的介电性能

袁力 丁士华 姚熹

电子元件与材料2005,Vol.24Issue(3):20-22,3.
电子元件与材料2005,Vol.24Issue(3):20-22,3.

CuO、V2O5掺杂(1-x)BiNbO4-xZnTaO6的介电性能

Study on Dielectric Properties of (1-x) BiNbO4-xZnTaO6 Ceramics with CuO-V2O5 Additive

袁力 1丁士华 1姚熹1

作者信息

  • 1. 同济大学功能材料研究所,上海,200092
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摘要

关键词

无机非金属材料/微波介质陶瓷/介电性能/低温烧结/复相

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

袁力,丁士华,姚熹..CuO、V2O5掺杂(1-x)BiNbO4-xZnTaO6的介电性能[J].电子元件与材料,2005,24(3):20-22,3.

基金项目

国家高新技术发展计划资助项目(2001AA325110) (2001AA325110)

国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613302) (2002CB613302)

上海市重点建设学科资助项目 ()

电子元件与材料

OA北大核心CSCD

1001-2028

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