平面型RTD及其MOBILE的设计与研制OA北大核心CSCDCSTPCD
Design and Fabrication of a Planar RTD and Its MOBILE
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.
郭维廉;王国全;冯震;梁惠来;张世林;胡留长;毛陆虹;宋瑞良;牛萍娟;王伟;商跃辉
天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津工业大学信息与通讯工程学院,天津,300160中国电子科技集团十三所,石家庄,050051中国电子科技集团十三所,石家庄,050051中国电子科技集团十三所,石家庄,050051天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津大学电子信息工程学院,天津,300072天津工业大学信息与通讯工程学院,天津,300160
电子信息工程
RTD平面型RTD离子注入MOBILE
《半导体学报》 2006 (12)
2167-2172,6
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)
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