电子与封装2007，Vol.7Issue(9)：22-25,4.
基于0.5 μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究
Study on Integrating CMOS Compatible High-voltage MOSFETs in a 0.5μm Process
刘允 1赵文彬1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
- 折叠
摘要
关键词
高压MOS器件/低压MOS器件/0.5μm CMOS工艺/工艺兼容技术分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘允,赵文彬..基于0.5 μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究[J].电子与封装,2007,7(9):22-25,4.
