电子与封装2009，Vol.9Issue(6)：29-32,4.
单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
Monolithic Integration of GaAs Enhancement/depletion-mode PHEMTs
章军云 1林罡 1陈堂胜1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016
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摘要
关键词
单片集成/增强型/阈值电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
章军云,林罡,陈堂胜..单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管[J].电子与封装,2009,9(6):29-32,4.
