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锰铜薄膜的制备及压阻特性

杨邦朝 滕林 杜晓松 周鸿仁

电子元件与材料2004,Vol.23Issue(9):3-5,3.
电子元件与材料2004,Vol.23Issue(9):3-5,3.

锰铜薄膜的制备及压阻特性

Piezoresistance Characteristics of Manganin Thin Films

杨邦朝 1滕林 1杜晓松 1周鸿仁1

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
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摘要

关键词

电子技术/锰铜薄膜/X射线衍射/扫描电镜/压阻系数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨邦朝,滕林,杜晓松,周鸿仁..锰铜薄膜的制备及压阻特性[J].电子元件与材料,2004,23(9):3-5,3.

基金项目

军事电子预研基金资助项目(AW030412) (AW030412)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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