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氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

陈平 黄美浅 李斌 李观启

电子元件与材料2004,Vol.23Issue(3):37-38,42,3.
电子元件与材料2004,Vol.23Issue(3):37-38,42,3.

氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

Effect of Oxygen Annealing on Dielectric Constant of Ba1-xSrxTiO3 Thin Film

陈平 1黄美浅 1李斌 1李观启1

作者信息

  • 1. 华南理工大学应用物理系,广东,广州,510640
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摘要

关键词

MIOS结构/C-V特性/介电常数/退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈平,黄美浅,李斌,李观启..氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响[J].电子元件与材料,2004,23(3):37-38,42,3.

基金项目

教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 ()

华南理工大学自然科学基金资助项目 ()

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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