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对功率器件击穿电压的模拟优化

赵普社 王因生 傅义珠

电子与封装2007,Vol.7Issue(10):40-43,4.
电子与封装2007,Vol.7Issue(10):40-43,4.

对功率器件击穿电压的模拟优化

Simulation of the Breakdown Voltage of Power Devices

赵普社 1王因生 1傅义珠1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,南京,210016
  • 折叠

摘要

关键词

硅功率器件/击穿电压/扩散保护环/耗尽区腐蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵普社,王因生,傅义珠..对功率器件击穿电压的模拟优化[J].电子与封装,2007,7(10):40-43,4.

电子与封装

1681-1070

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