电子元件与材料2009，Vol.28Issue(6)：46-48,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2009.06.014
氮分压对磁控溅射制备TaN薄膜性能的影响
Effects of N2 partial pressure on the properties of TaN thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering
康杰 1张万里 1吴传贵 1向阳 1王超杰1
作者信息
- 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
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摘要
关键词
TaN薄膜/磁控溅射/N2分压/方阻/电阻温度系数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
康杰,张万里,吴传贵,向阳,王超杰..氮分压对磁控溅射制备TaN薄膜性能的影响[J].电子元件与材料,2009,28(6):46-48,3.
