电子元件与材料2005，Vol.24Issue(8)：4-7,10,5.
Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算
First-principles Calculation of ZnO Electronic Structure by Doping with Ga, Al and In
摘要
关键词
半导体技术/ZnO/第一性原理/电子结构/掺杂/透明导电薄膜分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张富春,邓周虎,阎军锋,允江妮,张志勇..Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算[J].电子元件与材料,2005,24(8):4-7,10,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60472068,10271093) （60472068,10271093）
