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高能氧化锌压敏元件研究

章会良 曹全喜 宋建军 刘男

电子元件与材料2007,Vol.26Issue(10):51-53,3.
电子元件与材料2007,Vol.26Issue(10):51-53,3.

高能氧化锌压敏元件研究

Research on ZnO varistor with high capability

章会良 1曹全喜 1宋建军 1刘男2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071
  • 2. 西安电子科技大学,理学院应用化学系,陕西,西安,710071
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摘要

关键词

电子技术/氧化锌压敏电阻器/复合纳米添加剂/化学共沉淀法/2 ms方波通流能力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

章会良,曹全喜,宋建军,刘男..高能氧化锌压敏元件研究[J].电子元件与材料,2007,26(10):51-53,3.

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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