电子元件与材料2009,Vol.28Issue(4):55-57,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2009.04.017
快速热退火制备多晶硅薄膜的研究
Study of preparing polycrystalline silicon thin film by RTA
摘要
关键词
半导体材料/快速热退火/多晶硅薄膜/升温速率/晶粒度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王红娟,吕晓东,黄义定,仲志国..快速热退火制备多晶硅薄膜的研究[J].电子元件与材料,2009,28(4):55-57,3.基金项目
南阳师范学院高层次人才科研启动基金资助项目 ()